东莞管件胶厂 扬杰电子取得平面栅MOSFET相关利, 该结构可降低MOSFET通电阻
发布日期:2026-07-24 09:53 点击次数:106

7月22日消息,国知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请项名为“种多电沟道的平面栅MOSFET及制备法”的利,授权公告号CN118658786B,授权公告日为2026年7月21日。申请公布号为CN118658786A,申请号为CN202410945473.2,申请公布日期为2026年7月21日,申请日期为2024年7月15日,发明人代书雨、马倩倩、周理明、毅,利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所(普通伙)东莞管件胶厂,利代理师郭翔,分类号H10D30/01、H10D30/66、H10D62/10。
利摘要显示,种多电沟道的平面栅MOSFET及制备法,涉及半体技术域。在器件的的P体区和P+沟道区之间形成个薄的N+层,关态状态下G电不加电压,该N+层在P体区和P+沟道区的夹持下被耗尽,不电,开态状态下G电加正电压,栅氧侧P+沟道区形成反型层电沟道,同时由于G电加正电压,P体区和P+沟道区夹持的N+层由耗尽状态转变为正常电状态,N+层和反型层电沟道并联,共同承担器件的通流,降低了平面栅垂直电MOSFET通电阻。
扬杰科技是国内功率半体域先企业,pvc管道管件胶注功率半体全产业链布局,2006年8月2日成立,2014年1月23日于圳证券交易所上市,注册及办公地点均位于江苏省扬州市。
公司主营业务集研发、生产、销售于体,耕功率半体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中端域,申万行业分类为电子-半体-分立器件,同时布局汽车芯片、半体等核心概念板块。
2025年扬杰科技实现营业收入71.3亿元,在18同行业可比公司中排名3,仅次于*ST闻泰的312.53亿元、士兰微的130.52亿元,大幅于39.84亿元的行业平均水平与13亿元的行业中位数;同期实现净利润12.45亿元,位列行业,远二名捷捷微电的4.76亿元,显著优于行业-3.38亿元的平均净利润与5933.85万元的行业中位数。从主营业务构成来看,半体器件东莞管件胶厂贡献营收62.57亿元东莞管件胶厂,占比87.75;半体芯片贡献营收5.34东莞管件胶厂亿元,占比7.49;半体硅片贡献营收1.67亿元,占比2.35;其他补充业务贡献营收1.72亿元,占比2.41。
业务板块
营收规模(亿元)
营收占比
半体器件
62.57
87.75
半体芯片
5.34
7.49
半体硅片
1.67
2.35
其他(补充)
1.72
2.41
扬州扬杰电子科技股份有限公司近期利情况如下:
序号利名称利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1种提短路耐受能力的碳化硅MOS器件及制备法发明利公布CN202610748277.52026-05-28CN122421408A2026-07-17亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、毅2种低寄生电感功率二管及制备法发明利实质审查的生、公布CN202610593818.12026-04-30CN122340830A2026-07-03熊鹏程、徐雅、周培培、赵振中、陈润生、毅3种低应力热光伏旁路电组件、二管及制备法发明利公布CN202610585288.62026-04-29CN122396337A2026-07-14柏广绪、司天平、景昌忠、陈润生、毅4种功率密度三管及制备法发明利公布CN202610535598.72026-04-22CN122395972A2026-07-14代书雨、双、张敏、陈润生、毅5种应用于SICMOS域的封装框架、封装结构及散热装置发明利实质审查的生、公布CN202610412210.42026-03-31CN122138725A2026-06-02熊鹏程、徐雅、杨程、陈润生、毅6种功率密度TVS二管及制备法发明利实质审查的生、公布CN202610415630.82026-03-31CN122269779A2026-06-23熊鹏程、徐雅、赵振中、陈润生、毅7种PowerDFN框架、封装体及制备法发明利实质审查的生、公布CN202610286131.32026-03-10CN121985840A2026-05-05熊鹏程、徐雅、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、毅8种三相半控整流桥复封装及制备法发明利实质审查的生、公布CN202511981365.12025-12-25CN121604824A2026-03-03张帅、姚文康、双、陈润生、毅9种应用于车规系统的大功率TVS及制备法发明利实质审查的生、公布CN202511950595.12025-12-23CN121729076A2026-03-24熊鹏程、徐雅、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、毅10种光伏旁路二管模块加工工艺发明利公布CN202511930765.X2025-12-19CN121693132A2026-03-17司天平、景昌忠、陈润生、毅11种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析法发明利实质审查的生、公布CN202511911493.92025-12-17CN121699615A2026-03-20李跃兵、双、李长青、刘军、许愿、陈润生、毅12种分裂栅结构的IGBT器件及制备法发明利公布CN202511407480.82025-09-29CN120980899A2025-11-18龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、毅13种稳定沟槽型IGBT器件及制备法发明利实质审查的生、公布CN202511407472.32025-09-29CN121152230A2025-12-16龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、毅14种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备法发明利实质审查的生、公布CN202511407464.92025-09-29CN121240474A2025-12-30龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、毅15种功率密度三管及制备法发明利发明利申请公布后的视为撤回、实质审查的生、公布CN202511209188.52025-08-27CN120857527A2025-10-28代书雨、双、张敏、陈润生、毅16种集电电流三管及制备法发明利实质审查的生、公布CN202511207926.22025-08-27CN120916450A2025-11-07代书雨、双、张敏、陈润生、毅17种EAS能力的三管及制备法发明利实质审查的生、公布CN202511208008.12025-08-27CN120916452A2025-11-07代书雨、双、张敏、陈润生、毅18种频和增益三管及制备法发明利实质审查的生、公布CN202511207991.52025-08-27CN120916451A2025-11-07代书雨、双、张敏、陈润生、毅19种电流密度三管及其制备法发明利实质审查的生、公布CN202511207877.22025-08-27CN121057236A2025-12-02代书雨、双、张敏、陈润生、毅20种提工作频率和增益系数的三管实用新型授权CN202521832202.22025-08-27CN224538634U2026-07-21代书雨、双、张敏、陈润生、毅21种便捷式旁路保护器件的加工法发明利公布CN202511154480.12025-08-18CN121017690A2025-11-28李广源、梁欣源、陈润生、毅22光伏旁路器件实用新型授权CN202521754537.72025-08-18CN224459747U2026-07-03李广源、梁欣源、陈润生、毅23种适用于光伏轴向二管贯机及其使用法发明利实质审查的生、公布CN202511145062.62025-08-15CN121011539A2025-11-25徐、司天平、陈润生、毅24二管擦字装置实用新型授权CN202521740722.02025-08-15CN224296845U2026-05-29徐、司天平、陈润生、毅25二管上料装置实用新型授权CN202521740725.42025-08-15CN224449345U2026-07-03徐、司天平、陈润生、毅26二管收料装置实用新型授权CN202521740719.92025-08-15CN224449543U2026-07-03徐、司天平、陈润生、毅27种新型二管金属线键塑封体机发明利实质审查的生、公布CN202510879767.42025-06-27CN120690730A2025-09-23耿印、毅28种半体塑封模具异物检测机构及法发明利实质审查的生、公布CN202510842518.82025-06-23CN120645350A2025-09-16刁卫斌、毅29种二管外观检测装置及法发明利实质审查的生、公布CN202510826492.82025-06-19CN120539278A2025-08-26耿印、毅30种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构发明利实质审查的生、公布CN202510793665.02025-06-13CN120637356A2025-09-12代书雨、徐雅、玉林、张敏、毅31种抑制塑封分层的全包封框架及封装实用新型授权CN202521215415.02025-06-13CN224460572U2026-07-03代书雨、玉林、张敏、毅32提升缘耐压能力的整流桥堆实用新型授权CN202521114013.12025-05-30CN224205650U2026-05-05邱力宸、毅33多引脚散热桥堆实用新型授权CN202521104107.02025-05-30CN224205649U2026-05-05姚文康、双、吕强、毅34种组装散热型整流桥实用新型授权CN202521104109.X2025-05-30CN224482060U2026-07-10双、毅35种改进半体器件饱和压降的制备法发明利实质审查的生、公布CN202510613311.32025-05-13CN120417408A2025-08-01龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、毅36单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片法发明利实质审查的生、公布CN202510148616.12025-02-11CN119704417A2025-03-28鑫、毅37种FRED半体器件及制备法发明利实质审查的生、公布CN202510126905.12025-01-27CN119947137A2025-05-06崔龙、毅38种横向IGBT及其制备法发明利实质审查的生、公布CN202411996035.52024-12-31CN119730275A2025-03-28代书雨、玉林、张敏、毅39种横向平面栅IGBT及制备法发明利实质审查的生、公布CN202411996030.22024-12-31CN119730274A2025-03-28代书雨、玉林、张敏、毅40种横向RC-IGBT及其制备法发明利实质审查的生、公布CN202411996027.02024-12-31CN119730273A2025-03-28代书雨、玉林、张敏、毅41种自带续流二管的平面栅IGBT及制备法发明利实质审查的生、公布CN202411996043.X2024-12-31CN119730277A2025-03-28代书雨、玉林、张敏、毅42种自带续流能力的IGBT及其制备法发明利实质审查的生、公布CN202411996042.52024-12-31CN119730276A2025-03-28代书雨、玉林、张敏、毅43自动卡料管装上料装置实用新型授权CN202423295438.52024-12-31CN223547013U2025-11-14李伟贞、殷宪虎、毅44整流桥周转管塞装置实用新型授权CN202423295423.92024-12-31CN223574783U2025-11-21张杰、徐俊、殷宪虎、毅45整流桥平整度检测装置实用新型授权CN202423266959.82024-12-30CN223551060U2025-11-14雍鑫、徐俊、毅46框架镜像检测平台实用新型授权CN202423266953.02024-12-30CN223711466U2025-12-23沈青青、徐俊、毅47种增强栅氧可靠的SiCMOSFET器件及制备法发明利实质审查的生、公布CN202411950010.12024-12-27CN119743969A2025-04-01坤、杨程、正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、毅48种减小漏电的SiCSBD二管及制备法发明利实质审查的生、公布CN202411955197.42024-12-27CN119789443A2025-04-08坤、杨程、正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、毅49具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二管实用新型授权CN202423253084.82024-12-27CN223652616U2025-12-09坤、杨程、正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、毅50具有L型栅氧结构的SiCMOSFET器件实用新型授权CN202423247744.12024-12-27CN223652617U2025-12-09坤、杨程、正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、毅相关词条:设备保温 塑料挤出机厂家 预应力钢绞线 玻璃丝棉 万能胶厂家
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