盖世汽车讯 据外媒报道，GaNFast™氮化镓(GaN)和GeneSiC™碳化硅(SiC)功率半体公司纳微半体(Navitas Semiconductor)宣布出其五代GeneSiC技术平台。该压(HV)碳化硅沟槽辅助平面(Trench-Assisted Planar，TAP)MOSFET技术较前几代产品实现了显著的技术飞跃，并将提供1200伏MOSFET产品线。它具备先的能、稳定和质量，万能胶生产厂家能够为电动汽车、数据中心和可再生能源系统等功率应用提供快、低温、可靠的功率转换。

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图片来源：纳微半体

五代MOSFET平台采用纳微迄今为止紧凑的TAP架构张家口PVC管道管件粘结胶，结了平面栅的坚固和源区沟槽结构带来的同类佳能指标，同时提了压电力电子器件的率和使用寿命可靠。