晋城泡沫板胶 微纳米申请喷淋板相关利, 喷淋板双分区孔型提升晶圆孔隙填充致

7月15日消息，国知识产权局信息显示，江苏微纳米科技股份有限公司申请项名为“喷淋板、处理设备和喷淋板孔型调整法”的利。申请公布号为CN122382537A，申请号为CN202610491865.5，申请公布日期为2026年7月14日晋城泡沫板胶，申请日期为2026年4月14日，发明人侯彬、荒见淳、沈寒旸，利代理机构圳市威世博知识产权代理事务所（普通伙），利代理师石惠，分类号C23C16/455、C23C16/505、C23C16/52。

利摘要显示，本申请提供了喷淋板、处理设备和喷淋板孔型调整法，该喷淋板包括分区、二分区、气孔和二气孔。二分区包围在分区外；气孔设置于分区，气孔包括沿喷淋板厚度向依次连通设置的台阶孔和喇叭孔；二气孔设置于二分区，二气孔包括沿喷淋板厚度向依次连通设置的直孔和二喇叭孔，直孔的直径大于等于台阶孔的大直径。本申请通过在喷淋板的分区和二分区设置不同孔型的气孔和二气孔，其中，二气孔中的直孔直径大于等于气孔中台阶孔的大直径，可以提晶圆的中部区域和边部区域的孔隙填充的致。

作为国内ALD薄膜沉积设备域的先企业，微纳米核心业务覆盖端薄膜沉积装备研发制造，具备厚的技术壁垒与全链条服务优势。公司成立于2015年12月25日，保温护角专用胶于2022年12月23日登陆上海证券交易所，注册及办公地点均位于江苏省。

微纳米以ALD技术为核心，注于微、纳米薄膜沉积技术和设备的研发与产业化，为光伏、集成电路、柔电子等半体与泛半体行业提供端装备及技术解决案，所属申万行业为电力设备-光伏设备-光伏加工设备，同时布局集成电路、半体设备、存储概念相关赛道。

2025年，微纳米实现营业收入26.33亿元，在12同行业企业中排名9，低于行业平均56.11亿元、行业中位数45.56亿元，同期行业头部企业捷佳伟创、晶盛机电营收分别达154.72亿元、113.57亿元；营收结构中光伏设备贡献15.91亿元占比60.43，半体设备贡献8.81亿元晋城泡沫板胶占比33.45，配套产品及服务、其他业务分别占比5.47、0.64。同期公司实现净利润2.19亿元，行业排名7，低于行业平均5.17亿元、行业中位数2.96亿元，头部企业捷佳伟创、晶盛机电净利润分别为26.18亿元、8.59亿元。

业务板块

营收规模晋城泡沫板胶

营收占比

光伏设备

15.91亿元

60.43

半体设备

8.81亿元

33.45

配套产品及服务

1.44亿元

5.47

其他

1431.86万元

0.54

其他(补充)

268.01万元

0.10

江苏微纳米科技股份有限公司近期利情况如下：

序号利名称利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1衬套及沉积系统发明利公布CN202610652436.12026-05-12CN122358169A2026-07-10宗林、周芸福、赵婷婷、陈刚、国2工艺腔室及沉积设备发明利公布CN202610652469.62026-05-12CN122358158A2026-07-10程堂杰、吴晗3种成膜设备、成膜设备的进气装置及成膜设备的喷淋板发明利实质审查的生、公布CN202610492020.82026-04-15CN122013155A2026-05-12杨世蒙、宋广华、尤宇文4喷淋板、处理设备和喷淋板孔型调整法发明利公布CN202610491865.52026-04-14CN122382537A2026-07-14侯彬、荒见淳、沈寒旸5种升降针的检测法及相关装置发明利公布CN202610458284.12026-04-08CN122358148A2026-07-10柴智、李新6靶材结构和磁控溅射设备发明利实质审查的生、公布CN202610443065.62026-04-03CN122214800A2026-06-16白展逢、籍伟杰、张鹤、汤亚东、黎微明7混气机构、反应装置以及半体薄膜沉积设备发明利实质审查的生、公布CN202610442872.62026-04-03CN122235689A2026-06-19李新、柴智、赵婷婷、李振、张义明8溅射设备和溅射法发明利公布CN202610443120.12026-04-03CN122303811A2026-06-30张鹤、邓晚、白展逢、籍伟杰、汤亚东、黎微明9混气机构、反应装置以及半体薄膜沉积设备发明利公布CN202610442880.02026-04-03CN122327187A2026-07-03柴智、李新、赵婷婷、李振、张义明10靶材结构及其磁控溅射法和磁控溅射设备发明利公布CN202610442296.52026-04-03CN122358132A2026-07-10白展逢、籍伟杰、张鹤、任壮11层、钙钛矿太阳能电池及其制备法发明利授权CN202610426169.62026-04-02CN121968868B2026-06-16隋玉洁、娟、姚俊、闻佳、袁红霞、李翔12种激光加工系统以及激光指向偏移的补偿法发明利实质审查的生、公布CN202610377175.72026-03-25CN122125355A2026-06-02朱涵13种片材缺陷检测系统及法发明利公布CN202610377183.12026-03-25CN122341174A2026-07-03韩明新、陈哲、隋浩然、李登辉14温度调节装置以及镀膜设备发明利实质审查的生、公布CN202610321903.22026-03-16CN122235698A2026-06-19安、荒见淳15温度调节装置以及镀膜设备发明利实质审查的生、公布CN202610321907.02026-03-16CN122235699A2026-06-19安、荒见淳16进气装置和反应设备发明利实质审查的生、公布CN202610312792.92026-03-12CN122105370A2026-05-29柴智、赵学17基片及其制备法和半体器件发明利公布CN202610300638.X2026-03-12CN122318743A2026-06-30赵光辉、马洪宝18顶针结构、加热盘及薄膜沉积设备发明利公布CN202610312763.22026-03-12CN122318810A2026-06-30柴智19种基片上下料机构、基片上下料法、装置和介质发明利实质审查的生、公布CN202610255303.02026-03-03CN122121607A2026-05-29严大、汤宋波20种硅片取放机构及片系统发明利实质审查的生、公布CN202610214766.22026-02-13CN122028688A2026-05-12杨世蒙、李海生、宋广华21用于半体薄膜处理设备的配气组件和半体薄膜处理设备发明利实质审查的生、公布CN202610214730.42026-02-13CN122013152A2026-05-12衡德正、智顺华、徐康、阮昊、国22半体薄膜处理设备和半体薄膜沉积法发明利实质审查的生、公布CN202610214783.62026-02-13CN122013153A2026-05-12智顺华、衡德正、徐康、阮昊、国23半体薄膜处理设备和半体薄膜处理法发明利实质审查的生、公布CN202610214804.42026-02-13CN122128689A2026-06-02智顺华、衡德正、国、徐康、阮昊24用于半体薄膜处理设备的配气组件、半体薄膜处理设备及其处理法发明利实质审查的生、公布CN202610214736.12026-02-13CN122147285A2026-06-05衡德正、智顺华、徐康、阮昊、国25种载片舟流转设备、基片处理系统和载片舟流转法发明利实质审查的生、公布CN202610163864.82026-02-04CN121985771A2026-05-05严大、汤宋波26种喷淋装置及沉积镀膜设备发明利实质审查的生、公布CN202610131881.32026-01-29CN121915386A2026-04-24施述鹏、廖宝臣27载具、镀膜设备及其控制法发明利实质审查的生、公布CN202610076563.12026-01-20CN121610764A2026-03-06李挺、余乐怡28喷淋机构及薄膜沉积设备发明利实质审查的生、公布CN202512059928.82025-12-31CN121593033A2026-03-03李宏岩、张鹤、赵昂璧29喷淋机构及其检测系统发明利公布CN202512059363.32025-12-31CN121629365A2026-03-10贾松霖、张鹤、李宏岩、左敏30半体器件及其制备法发明利实质审查的生、公布CN202511999077.92025-12-26CN121793662A2026-04-03李翔、娟、江诗聪、袁红霞、姚俊、李鹏、杨蕾31污染角阀、角阀改造法及沉积设备发明利实质审查的生、公布CN202511983364.02025-12-25CN121737683A2026-03-27毛文瑞、荒见淳、赵婷婷32种半体薄膜沉积设备的反应腔和半体薄膜沉积设备发明利公布CN202511942447.52025-12-22CN121826658A2026-04-10衡德正、智顺华、徐康、阮昊、国33加热盘机构及薄膜沉积设备发明利公布CN202511948067.22025-12-22CN121826668A2026-04-10许允昕、周芸福、宗林34种抽气组件和半体薄膜沉积设备发明利实质审查的生、公布CN202511935884.42025-12-19CN121781271A2026-04-03常晓娜、天宇、安、叶长松、张晶、刘松涛、国35种半体薄膜沉积设备的反应腔和半体薄膜沉积设备发明利实质审查的生、公布CN202511935874.02025-12-19CN121781109A2026-04-03叶长松、常晓娜、张晶、刘松涛、天宇、安36半体加热盘的装法和半体工艺腔室发明利公布CN202511923577.42025-12-18CN121653612A2026-03-13周瑞、周芸福37反应装置、半体薄膜沉积法和半体薄膜沉积设备发明利公布CN202511922972.02025-12-18CN121653610A2026-03-13安、天宇、炫罡38反应腔室及薄膜沉积设备发明利公布CN202511923368.X2025-12-18CN121674937A2026-03-17周芸福、黎微明、周瑞、国、晴39支撑机构、反应装置和半体薄膜沉积设备发明利公布CN202511923203.22025-12-18CN121843456A2026-04-10李森、常晓娜、叶长松、张晶、刘松涛40种顶针结构、升降机构及薄膜沉积设备发明利公布CN202511923315.82025-12-18CN121843483A2026-04-10新征、侯永刚41承载支架和晶圆处理装置发明利实质审查的生、公布CN202511923339.32025-12-18CN121865892A2026-04-14周峰、柴智、石帅、张义明42气路装置、气路控制法、反应装置及薄膜沉积设备发明利实质审查的生、公布CN202511923451.72025-12-18CN121854755A2026-04-14张棋凯、龚炳建43薄膜晶体管及薄膜晶体管沟道层的制备法发明利实质审查的生、公布CN202511912959.72025-12-17CN121865666A2026-04-14李向远、许所昌44管路系统、管路控制法及薄膜沉积设备发明利公布CN202511902157.82025-12-16CN121826650A2026-04-10邹天顺、龚炳建45反应装置、进气通道吹扫法和半体薄膜沉积设备发明利公布CN202511902518.92025-12-16CN121826655A2026-04-10邹天顺、龚炳建46测试装置、测试法及升降机构发明利公布CN202511902280.X2025-12-16CN121829901A2026-04-10陈鹏、周芸福47种抽气构件和半体薄膜沉积设备发明利公布CN202511902553.02025-12-16CN121826645A2026-04-10常晓娜、天宇、安、叶长松、张晶、刘松涛48ALD薄膜沉积法及装置和ALD薄膜沉积设备发明利公布CN202511902512.12025-12-16CN121826654A2026-04-10许所昌、李向远49ALD薄膜沉积法及装置和ALD薄膜沉积设备发明利公布CN202511902620.92025-12-16CN121826657A2026-04-10许所昌、李向远50进气结构、反应装置和半体薄膜沉积设备发明利公布CN202511902544.12025-12-16CN121826656A2026-04-10刘松涛、常晓娜、张晶、叶长松、李森相关词条:罐体保温     塑料挤出设备     钢绞线    超细玻璃棉板    万能胶

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