在本届GTC大会上备受瞩目的Groq 3 LPU泸州防火门专用胶厂家，已确认委托三星电子进行代工，预计采用4纳米工艺生产。

　　三星半体业务执行总裁韩进万表示，Groq 3 LPU量产将于今年三季度末或四季度初开始，明年市场对该款芯片的需求有望实现进步增长“早在2023年英伟达收购Groq之前，三星便已和Groq开始作。”他补充道：“三星工程师直接参与其中，还协助了LPU的设计工作。”

　　日前分析师郭明錤发文称，在英伟达投资Groq之后，LPU的出货量预测已大幅上调。预计2026至2027年的总出货量将达到400万至500万颗。

　　此外，在存储域泸州防火门专用胶厂家，三星下代HBM也取得了进展。

　　据Businesskorea今日报道，三星电子已确认正在开发八代带宽内存（HBM5），其底层芯片或采用2纳米工艺。对于九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（七代10纳米）工艺的DRAM。

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　　三星电子存储器开发执行总裁黄相俊表示：“由于器件能将不断提升泸州防火门专用胶厂家，我们将继续把的工艺应用于HBM5和HBM5E。”

　　受上述消息影响，今日三星电子跳空开，涨幅度扩大至6。自本周以来，该公司已累计涨11。截至目前，其市值突破1370万亿韩元（约9212亿美元）。

　　就在上个月，保温护角专用胶市场研究机构TrendForce集邦咨询曾指出，随着AI基础建设扩张，对应的GPU需求也不断成长，预期英伟达Rubin平台量产后，将带动HBM4需求。目前三大存储器原厂的HBM4验证程序已进展至尾声，预计将在2026年二季陆续完成。其中，三星凭借佳的产品稳定，预期将率先通过验证。

　　此前，三星电子先将先于竞争对手的1c DRAM技术应用于HBM4核心芯片，并采用三星晶圆代工的4纳米工艺制造了基础芯片。基于此，该公司稳定实现了业界先的能，并于上个月率先向英伟达供应了HBM4。

　　“三星的HBM4基础芯片也是采用4纳米工艺制造的，所以我认为未来对4纳米工艺的需求将大幅增长。”韩进万表示。

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